64-х бітний Процесор Snapdragon 660


  Гаджети на процесорі Snapdragon 660

Основні параметри
Частота: 2.2 ГГц
Кількість ядер: 8 ядерний
Сімейство: Kryo 260
Графічний чіп:Adreno 512
Antutu: 140000
Рік випуску: 2018
Техпроцес: 14
Чим менший техпроцес тим менше нагрівається процесор і нижче споживання живлення

Докладніше:

Восьмиядерный процессор Qualcomm Snapdragon 660 пришел на смену чипу Snapdragon 653. Новинка использует тот же техпроцесс FinFET, однако производительность и показатель энергоэффективности заметно возросли: платформ получила поддержку Quick Charge 4.0 и Bluetooth 5, а также более быстрый модем. Snapdragon 660 — может обеспечить смартфоны среднего ценового класса возможностями флагманских устройств.

Snapdragon 660 получил графический процессор Adreno 512 и LTE-модем Snapdragon X12 со скоростью загрузки 600 Мбит/с. В отличие от Snapdragon 653 с четырьмя ядрами Cortex-A72 с частотой 1,92 ГГц и четырьмя ядрами Cortex-A53 c 1,44 ГГц, он использует четыре ядра Kryo 260, которые работают на частоте 1,8 ГГц, и четыре высокопроизводительных ядра Kryo 280 с тактовой частотой 2,2 ГГц. Процессор поддерживает 2x2 MU-MIMO Wi-Fi 802.11ac, что обеспечивает вдвое большую пропускную способность и на 60% меньшее потребление энергии при загрузке в сравнении с Snapdragon 653.

Платформа получила новый процессор для обработки изображений Spectra 160 ISP, поддержку автофокуса, функции плавного оптического масштабирования и стабилизацию видео. Благодаря этому улучшилось качество изображений, в том числе при низком освещении, и стало возможным более эффективное потребление энергии при более высокой производительности для смартфонов с двойными камерами.

Кроме того, устройства на базе мобильной платформы Snapdragon 660 с использованием SDK Snapdragon Neural Processing Engine поддерживают технологии машинного обучения (ИИ - исскуственный интелект)



Гаджети на процесорі Snapdragon 660

Під замовлення
Realme 2 PRO

Realme 2 PRO 4/64
[1021]

5590 грн
Доставка 25-30 днів
Kryo 260 x 2.2ГГц 8 ядер
6.3" 2340 x 1080 px
4ГБ/64ГБ/3500mA